南韓三星華城廠區驚傳跳電，將影響 DRAM、NAND Flash 及 LSI 部分業務

DRAM NAND FLASH就不多說
EUV就是11月淨損300萬的3680家登
有可能受惠嗎? 明天看看相關類股表現了。

作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 01 月 01 日 12:15 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體follow us in feedly

就在大家歡喜慶祝 2020 年元旦之際，南韓的半導體產業卻傳來了意外事件！根據外電的報導，南韓半導體廠商三星電子旗下位於華城的工廠發生了跳電事故，影響了 DRAM、NAND Flash，以及採用 EUV 技術的系統半導體生產部分。

根據 外電報導指出，三星電子位於南韓華城的工廠，在 2019 年 12 月 31 日發生了短暫的跳電情況，使得華城廠區內的部分工廠短暫停產。整個跳電的時間約 1 分鐘，之後立即恢復了供電，目前三星正在積極的進行產線檢查，在了解受損程度之後，以便在最短時間內恢復生產。

據了解，這次三星電子華城廠區的跳電事件，影響的是生產 DRAM 的 Line 12 產線，以及生產 Nand Flash 的 Line 13 產線，另外還有以 EUV （extreme ultraviolet）技術進行生產的 LSI（ large-scale integration）部分。根據市場人士估計，由於是生產 DRAM 的 Line 12 產線，以及生產 NAND Flash 的 Line 13 產線都屬於製程比較落後的產線，因此受影響較大的部分的將會是在以 EUV 來生產系統半導體的領域，整體損失金額可能達到 3,000 萬美元。

至於，會發生跳電的原因目前並不清楚。只是，以台灣的晶圓廠為例，在供電方面多半都設計有兩套迴路，分別由兩個不同的變電所來供電，以降低因意外而發生跳電的風險。不過，如果發生大規模的天然災害，例如地震而導致電廠停止運轉的情況，這部分就另當別論。因此，這次南韓三星華城廠區在無發生重大天然災害情況下，卻發生跳電的情況，這個過程就必須好好地確認。

至於，這次的跳電事件是否會影響市場上 DRAM 及 NAND Flash 的價格，就如同 2019 年 6 月份，日本記憶體大廠東芝在三重縣四日市的廠區發生跳電，造成市場供貨衝擊的狀況，目前還不得而知。不過，日前三星才宣布，將在未來 10 年內投資超過千億美元以發展系統半導體業務，已達成未來登上全球系統半導體業務龍頭的計劃，會不會因為這樣的斷電事件而受到影響，未來還需要進一步的觀察。