華邦電25nm良率問題近期改善；估下半年供給吃緊

記憶體廠商華邦電(2344)去年第四季因價格跌價因素及25nm(奈米)製程良率問題導致虧損，總經理詹東義(見圖)表示，25奈米的良率問題近期可獲得改善，第二季開始正常良率的產品就會慢慢釋出，而他也預估整體電子產業3月起即會回到正常秩序，原需求遞延，再加上傳統旺季，第三季記憶體市況回溫，有機會來到供需平衡或小幅供給吃緊。

最近跌的兇，上週說好的因為疫情受惠因為Q4轉虧所以在股價上完全看不到利多現象，究竟是錯殺還是真的不行，讓我們看下去。



MoneyDJ新聞 2020-02-10 09:00:11 記者 萬惠雯 報導

記憶體廠商華邦電(2344)去年第四季因價格跌價因素及25nm(奈米)製程良率問題導致虧損，總經理詹東義(見圖)表示，25奈米的良率問題近期可獲得改善，第二季開始正常良率的產品就會慢慢釋出，而他也預估整體電子產業3月起即會回到正常秩序，原需求遞延，再加上傳統旺季，第三季記憶體市況回溫，有機會來到供需平衡或小幅供給吃緊。

在產品比重部分，去年第四季華邦電DRAM產品事業群(含利基型記憶體及行動記憶體產品線)佔去年全年營收35%；Nor flash占46%、Nand flash占9%、Mobile占10%。

華邦電去年DRAM製程分佈上，46奈米占比重62%、65奈米占8%，38奈米占24%，25奈米占6%；在flash的製程分佈上，90奈米占比重22%、58奈米占62%、46奈米占16%。

詹東義表示，華邦電去年在DRAM的表現不好，因為去年整體市況不好，導致25奈米及38奈米新產品向客戶導入會有困難，另外去年25奈米良率狀況不佳，惟問題預計三個月後就可解決，第二季開始正常良率的產品就會慢慢釋出，在5G以及IP CAM、PON、ADAS、IOT等應用推動下，下半年整體DRAM將來到供需平衡或小幅供不應求。

在flash產品線，去年出貨量是創高表現。Nand已開始回溫，且SLC Nand業務持續升，主要攻高速以及高品質的應用；45奈米的Nor也在開發當中，預估flash市場上半年會達供需平衡、下半年會供給吃緊。

在產能部分，今年由月產能52,000片提升到54,000片的擴充水準，其中DRAM/flash大概是各5成的水準。